| 发明名称 | 基板处理方法及基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置，其能够确保成膜速度且膜厚难以变得不均匀。该方法包括：将多个Si晶片(300)送入处理室(201)内并积层收容的第一工序；加热Si晶片(300)且将第一气体供给到处理室(201)，成膜所期望的厚度的第一非晶质硅膜的第二工序；加热基板(301)且将与第一气体不同的第二气体供给到处理室(201)内，成膜所期望的厚度的第二非晶质硅膜的第三工序，以使第一气体为比所述第二气体高级次的气体的方式对Si晶片(300)进行处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101620993A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200910136936.6 | 申请日期 | 2009.04.28 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 森谷敦;井之口泰启;国井泰夫 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 陈 伟 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，在表面的至少一部分上具有绝缘膜，且在硅表面露出的单晶硅基板上成膜非晶质硅膜，其特征在于：包括：将多个基板送入处理室内并积层收容的第一工序；至少对所述基板进行加热并供给第一气体，从而成膜所期望的厚度的第一非晶质硅膜的第二工序；至少对所述基板进行加热并供给与所述第一气体不同的第二气体，从而成膜所期望的厚度的第二非晶质硅膜的第三工序，所述第一气体是比所述第二气体高级次的气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||