| 发明名称 | 光掩模清洗方法 | ||
| 摘要 | 一种光掩模清洗方法，包括：形成包含H<sup>+</sup>的阳极超纯水及包含OH<sup>-</sup>的阴极超纯水；以所述阳极超纯水或所述阴极超纯水清洗所述光掩模。一种光掩模清洗方法，包括：形成包含H<sup>+</sup>的阳极超纯水及包含OH<sup>-</sup>的阴极超纯水；以所述阳极超纯水对所述光掩模执行清洗操作；以所述阴极超纯水对经历阳极超纯水清洗操作的光掩模执行清洗操作。可抑制光掩模上雾状缺陷的产生，延长光掩模的使用寿命，降低清洗成本；利于改善集成电路制造过程中的环境污染，改善光掩模的清洗效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101620372A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200810115965.X | 申请日期 | 2008.06.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 金正培 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01)I;B08B3/00(2006.01)I;B08B11/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)N | 主分类号 | G03F1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1.一种光掩模清洗方法，其特征在于，包括：形成包含H+的阳极超纯水及包含OH-的阴极超纯水；以所述阳极超纯水或所述阴极超纯水清洗所述光掩模。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||