发明名称 |
用于在电阻转换器件中受控地形成电阻转换材料的方法和由此获得的器件 |
摘要 |
本发明披露了一种用于在电阻转换器件中受控地形成电阻转换层的方法。所述方法包括提供包括底部电极(10)的衬底(2);在所述衬底上提供包括凹槽(7)的介电层(4),该凹槽含有用于形成所述电阻层(11)的金属;在所述衬底上提供包括开口(8)的介电层(5),该开口暴露所述凹槽金属的;和在所述凹槽和开口中形成电阻层。 |
申请公布号 |
CN101622728A |
申请公布日期 |
2010.01.06 |
申请号 |
CN200780031802.7 |
申请日期 |
2007.08.31 |
申请人 |
校际微电子中心 |
发明人 |
卢多维克·古克斯;德克·武泰斯 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李 玲 |
主权项 |
1.一种用于制造电阻转换器件的方法,所述电阻转换器件包括底部电极、顶部电极和与所述底部电极和顶部电极接触的电阻转换材料层,其中所述方法包括:提供包括所述底部电极的衬底;在所述衬底上提供第一介电层,所述第一介电层具有凹槽,所述凹槽包含用于形成电阻转换材料层的金属;在所述衬底上提供第二介电层,其具有暴露所述凹槽的金属的开口;和在所述凹槽和开口中形成所述电阻转换材料层。 |
地址 |
比利时勒芬 |