| 发明名称 | 一种欧姆接触式射频开关及其集成工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极进行驱动。本发明还对应提出一种欧姆接触式射频开关的集成工艺。本发明的技术方案使用玻璃、陶瓷等绝缘材料作为衬底，利用PECVD工艺制作的非晶硅薄膜作为偏置电阻，实现了偏置电阻的片上集成；同时通过特殊的工艺步骤，实现了欧姆接触式射频开关，使其保持了MEMS器件的可集成、偏置电路简单等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101620952A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200810240374.5 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 清华大学;上海得倍电子技术有限公司 | 发明人 | 刘泽文;侯智昊;李志坚;刘红超 |
| 分类号 | H01H59/00(2006.01)I;H01P1/10(2006.01)I;H01H11/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01H59/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王朋飞 |
| 主权项 | 1、一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，其特征在于，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极进行驱动。 | ||
| 地址 | 100084北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 | ||