发明名称 |
一类氧化物多层梯度薄膜及其构建的RRAM元器件 |
摘要 |
本发明提供一种用于电阻式随机存取存储器(RRAM)元器件的氧化物多层梯度薄膜,所述的梯度薄膜具有电阻转变特性,所述的氧化物多层梯度薄膜具有电阻转变特性,其组成通式为:MO<sub>x-δ</sub>/MO<sub>x-δ(N-2)/(N-1)</sub>/…/MO<sub>x-δ/(N-1)</sub>/MO<sub>x</sub>,式中MO<sub>x</sub>为二元或多元氧化物,N为氧化物梯度薄膜的总层数,N≥3;δ为底层氧化物薄膜的氧空位含量,1≤δ<x。所述的MO<sub>x</sub>为TiO<sub>2</sub>、ZnO、MgO、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或SrTiO<sub>3</sub>。由所述的多层梯度薄膜构建成RRAM元器件,N≥3的不同层数的氧化物梯度薄膜可实现可逆电阻转变和记忆特性,随层数N的增加,初始化电压逐渐减小,高电阻值达MΩ量级,而低电阻为10欧姆,高低阻比值达10<sup>2</sup>~10<sup>5</sup>。在连续电压扫描激励下,呈现出优异的、稳定的高低阻态转变和记忆特性。 |
申请公布号 |
CN101621114A |
申请公布日期 |
2010.01.06 |
申请号 |
CN200910055172.8 |
申请日期 |
2009.07.21 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
李效民;刘新军;王群;曹逊;杨蕊;于伟东;陈立东 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1、一种氧化物多层梯度薄膜,其特征在于所述的氧化物多层梯度薄膜具有电阻转变特性,其组成通式为:MOx-δ/MOx-δ(N-2)/(N-1)/.../MOx-δ/(N-1)/MOx式中MOx为二元或多元氧化物,N为氧化物梯度薄膜的总层数,N≥3;δ为底层氧化物薄膜的氧空位含量,1≤δ<x。 |
地址 |
200050上海市定西路1295号 |