| 发明名称 | 半导体基底的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体基底的清洗方法。首先，提供半导体基底，半导体基底包含有材料层与图案化光刻胶层，且图案化光刻胶层位于材料层上。之后，利用图案化光刻胶层作为蚀刻掩模对材料层进行接触蚀刻工艺，以在材料层中形成蚀刻孔洞。接着，利用清洗溶剂对半导体基底进行溶剂清洗工艺。其后利用去离子水对半导体基底进行水洗工艺，其中去离子水的温度范围介于30℃至99℃之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100578731C | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200710141772.7 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 孙智强;蓝天呈;李华国;陈京好;黄文俊;王润顺;王敬玲;杨大江;王志祥 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;陈小雯 |
| 主权项 | 1.一种半导体基底的清洗方法，包含有：提供半导体基底，该半导体基底包含有材料层与图案化光刻胶层，且该图案化光刻胶层位于该材料层上；利用该图案化光刻胶层作为蚀刻掩模来蚀刻该材料层，以在该材料层中形成蚀刻孔洞；剥除该图案化光刻胶层，然后利用清洗溶剂对该半导体基底进行溶剂清洗工艺；以及利用去离子水对该半导体基底进行水洗工艺，且该去离子水的温度范围介于30℃至99℃之间，以去除该清洗溶剂。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||