| 发明名称 | 存储器元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器元件。一柱形结构包括一第一电极层、一位于第一电极上的介电层及一位于介电层上的第二电极层。一相变化层包覆柱形结构的四周围。一下电极电性连接柱形结构的第一电极层。一上电极电性连接柱形结构的第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN100578753C | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200710087797.3 | 申请日期 | 2007.03.19 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 俞笃豪 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种存储器元件的制造方法，包括：提供基底；形成第一层间介电层于该基底上方；形成下电极于该第一层间介电层中；形成第一电极层于该第一层间介电层和该下电极上；形成介电层于该第一电极层上；形成第二电极层于该介电层上；图形化该第一电极层、该介电层和该第二电极层，以形成柱形结构，该柱形结构具有环绕的周围，其中该柱形结构对应于该存储器元件的存储单元；形成相变化层于该柱形结构和该基底上，该相变化层直接接触该柱形结构的环绕周围；图形化该相变化层，使该存储单元的图形化相变化层和邻近存储单元的图形化相变化层分隔；及形成上电极，电性连接该柱形结构的第二电极层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||