| 发明名称 | ITO烧结体以及ITO溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，通过使用能够以更高的合格率对具有优良物性的ITO膜进行成膜的ITO烧结体、ITO溅射靶材以及ITO溅射靶，尤其是使用体积电阻值较低的ITO烧结体，可以提供一种能够获得低电阻且具有优良的非晶态稳定性膜的ITO溅射靶材和ITO溅射靶，以及制造适合用于它们的ITO烧结体的方法。本发明的ITO烧结体，是在主晶粒的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>母相内存在由In<sub>4</sub>Sn<sub>3</sub>O<sub>12</sub>所组成微粒的ITO(Indium-Tin-Oxide)烧结体，其特征在于，该微粒具有，自粒子的假想中心以放射状形成有针状突起的立体星状形状。 | ||
| 申请公布号 | CN101622208A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200880001594.0 | 申请日期 | 2008.08.04 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 松前和男;高桥诚一郎;林博光 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱 梅;黄丽娟 |
| 主权项 | 1、一种ITO烧结体，该ITO(Indium-Tin-Oxide)烧结体在主晶粒的In2O3母相内存在由In4Sn3O12所组成的微粒，其特征在于，该微粒具有：自粒子的假想中心以放射状形成有针状突起的立体星状形状。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||