发明名称 |
无定形碳膜的形成方法、无定形碳膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法和计算机可读取的存储介质 |
摘要 |
本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置,并且具有在下部电极上配置基板的步骤;和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时,至少对上部电极施加高频电力,产生等离子体,通过把一氧化碳分解,在基板上堆积无定形碳,而成膜的步骤。并且理想的是,上部电极是碳电极。 |
申请公布号 |
CN101622693A |
申请公布日期 |
2010.01.06 |
申请号 |
CN200880006410.X |
申请日期 |
2008.02.21 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
石川拓;村井唯一;森崎英介 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李 伟;舒艳君 |
主权项 |
1.一种无定形碳膜的形成方法,其具有:在处理容器内配置基板的步骤;向上述处理容器内供给含有一氧化碳气体的处理气体的步骤;及在上述处理容器内,通过把上述一氧化碳气体分解,在基板上堆积无定形碳的步骤。 |
地址 |
日本东京都 |