一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法

摘要

本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。生长的CuI晶体为γ相，是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P型半导体衬底单晶用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于工艺简单，操作方便，设备低廉，本发明提供的方法有利于工业化生产。由于矿化剂溶液中可以加入掺杂元素进行载流子调控，利用本方法可以实现CuI晶体材料的载流子的调控。

主权项

1.一种P型导电性的CuI单晶体，其特征在于：CuI晶体为γ相立方闪锌矿结构，是具有直接带隙的P型半导体，晶体中掺杂了碘或硫或硒，掺杂质量百分含量为10～1000ppm，其载流子浓度大于1015cm-3，载流子迁移率大于10cm2·V-1·s-1。