| 发明名称 | 一种垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管及其制备方法。该垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管包括ZnO单晶衬底，在所述ZnO单晶衬底的一面上自下而上依次沉积有n型ZnO过渡层、n型Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O层、Zn<sub>1-y</sub>Mg<sub>y</sub>O/ZnO多量子阱层、p型Zn<sub>1-z</sub>Mg<sub>z</sub>O层、p型ZnO层和正电极，所述ZnO单晶衬底的另一面上沉积有负电极，其中x值为0＜x＜0.4，y值为0＜y＜0.4，z值为0＜z＜0.4。本发明的优点是通过采用垂直结构，引入了过渡层和多量子阱结构，改善了晶体质量，增加欲跃迁的电子密度，进而提高器件的发光效率，在室温条件就可观察到明显的电致发光现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101621104A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200910100985.4 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 杭州兰源光电材料有限公司 | 发明人 | 叶志镇;张利强;黄靖云;张银珠 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 林怀禹 |
| 主权项 | 1.一种垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管，其特征是：它包括ZnO单晶衬底，在所述ZnO单晶衬底的一面上自下而上依次沉积有n型ZnO过渡层、n型Zn1-xMgxO层、Zn1-yMgyO/ZnO多量子阱层、p型Zn1-zMgzO层、p型ZnO层和正电极，所述ZnO单晶衬底的另一面上沉积有负电极，其中x值为0＜x＜0.4，y值为0＜y＜0.4，z值为0＜z＜0.4。 | ||
| 地址 | 310013浙江省杭州市西湖区西溪路525号浙江大学科技园C楼401-18室 | ||