半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的一种半导体设备，包括：在具有绝缘表面的衬底上的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极和配置在所述沟道和所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上具有氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：源区、漏区和位于所述源区和所述漏区之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有氧化硅膜；配置在所述源区和所述漏区至少其中之一与所述沟道之间的轻掺杂区；配置在与所述沟道同一表面上的第一布线；配置在所述第一布线上的含氮化硅的绝缘区；配置在所述绝缘区中的接触孔；以及配置在所述绝缘区上且通过所述接触孔与所述第一布线接触的第二布线，其中所述氧化硅膜配置在所述轻掺杂区和所述绝缘区之间。