| 发明名称 | 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：配置氢氧化铵腐蚀液；步骤2：在衬底上制作一层光刻胶；步骤3：光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案；步骤4：将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干；步骤5：将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN101620999A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200810116041.1 | 申请日期 | 2008.07.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 鞠研玲;杨晓红;韩勤 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：配置氢氧化铵腐蚀液；步骤2：在衬底上制作一层光刻胶；步骤3：光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案；步骤4：将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干；步骤5：将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||