发明名称 | 高Q值低损耗基片集成波导功分合成器 | ||
摘要 | 高Q值低损耗基片集成波导功分合成器,可以应用于微波毫米波功率合成放大器电路的设计,亦可用于微波毫米波集成电路的设计。该功分/合成器利用了矩形金属波导与基片集成波导传输特性和场分布相类似的特点,首先提出了通过将一组等厚度的含对称尖劈过渡结构基片集成波导层叠并紧密地插入到矩形金属波导内,从而构成宽带、低插损功分/合成器的设计方法,为微波毫米波功率合成放大器的设计提供了一条全新的技术路线。实现了一个十路X波段层叠型基片集成波导功分/合成器的实验装置,其工作频率为范围8.2GHz~12.4GHz,回波损耗低于-13dB,传输损耗低于-0.8dB。 | ||
申请公布号 | CN201378619Y | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
申请号 | CN200920041129.1 | 申请日期 | 2009.04.03 |
申请人 | 东南大学 | 发明人 | 洪伟;朱红兵;田玲 |
分类号 | H01P1/213(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/213(2006.01)I |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 叶连生 |
主权项 | 1、一种高Q值低损耗基片集成波导功分合成器,其特征在于该功分合成器是通过将n个等厚度的含对称尖劈过渡结构基片集成波导(7)层叠在一起,并沿波导窄壁分别紧密地插入到输入波导(6)和输出波导(8)实现的;利用基片集成波导具有和矩形金属波导相类似的传输特性和场分布特性,通过输入波导(6)与n个等厚度的含对称尖劈过渡结构基片集成波导(7)组成n路功分器(9);通过n个等厚度的含对称尖劈过渡结构基片集成波导(7)与输出波导(8)组成n路合成器(10),n路功分器(9)和n路合成器(10)的结构是对称的。 | ||
地址 | 211109江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |