操作或编程非易失性存储器单元的方法

摘要

本发明揭示用于减少因各单元之间的电容耦合而引起存储于若干存储器单元行中的视在电荷电平的错误读数的技术。首先，对一第一行的所有页面进行第一遍编程，随后对一第二相邻行的所有页面进行第一遍编程，此后对该第一行进行第二遍编程，然后对一第三行的所有页面进行第一遍编程，随后返回来对该第二行进行第二遍编程，在一阵列中的各行之间以一来回方式依此类推。此会使因后续向相邻的存储器单元行写入数据而可能对存储于存储器单元行上的视在电荷造成的影响最小化。

主权项

1、一种用于操作一非易失性存储器单元阵列的方法，所述非易失性存储器单元将数据作为不同的电荷电平存储于其电荷存储元件中，其中所述电荷存储元件的相邻群组之间具有场耦合，该方法包括：使用一第一组存储电平，将数据连同一已使用所述第一组存储电平的指示一起编程入所述电荷存储元件群组中的一第一群组内，此后使用所述第一组存储电平，将数据连同一已使用所述第一组存储电平的指示一起编程入所述电荷存储元件群组中的一第二群组内，及此后将所述电荷存储元件群组中第一群组的所述电荷电平自所述第一组存储电平升高至一第二组存储电平，并在所述第一群组中存储一已使用所述第二组存储电平的指示。