| 发明名称 | 栅极介质层及其制造方法、半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极介质层的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上具有氧化硅层；对所述氧化硅层执行氮化工艺，形成含氮的氧化硅层；其中，所述氮化工艺至少有一步为离子注入氮化工艺。本发明还提供一种栅极介质层、半导体器件及其制造方法。本发明能够根据需要调节栅极介质层中氮的分布。 | ||
| 申请公布号 | CN101620995A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200810115966.4 | 申请日期 | 2008.06.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 吴汉明;高大为 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种栅极介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上具有氧化硅层；对所述氧化硅层执行氮化工艺，形成含氮的氧化硅层；其中，所述氮化工艺至少有一步为离子注入氮化工艺。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||