形成半导体器件中的硅化物的方法

摘要

一种用于形成半导体器件中的硅化物的方法包括：如果在形成硅化物金属层之后时间上经过了过度的延迟，则同时实施清洗工艺和刻蚀工艺以去除硅化物金属层。这可以防止由于在半导体衬底与硅化物金属层接触的界面处的氧化反应而引起的液痕的产生，从而防止由于过度延迟引起的硅化物缺陷。

主权项

1.一种用于形成半导体器件中的硅化物的方法，包括：在半导体衬底上方形成第一硅化物金属层，其中，在所述半导体衬底中形成有栅电极、器件隔离层和源极/漏极区；如果在形成所述第一硅化物金属层之后经过了预定的一段时间，则使用清洗化学药品混合物和刻蚀化学药品混合物来去除所述第一硅化物金属层；在去除所述第一硅化物金属层之后，通过在所述半导体衬底上实施预清洗工艺来去除在所述栅电极最上表面上方形成的本征氧化物层；在去除所述本征氧化物层之后，在所述半导体衬底上方重复地形成第二硅化物金属层；以及然后在重复地形成所述第二硅化物金属层之后，通过在所述半导体衬底上实施退火工艺来形成硅化物层。