发明名称 | 具有增透效应薄膜的发光二极管及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及发光二极管领域,旨在提供一种具有增透效应薄膜的发光二极管,包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线,LED发光芯片置于反光碗内,LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内;所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜;LED发光芯片、电介质氧化物增透薄膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2,Sub1为LED发光芯片的半导体材料,Sub2为封装胶体,L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料,H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料,2n为膜层总数,n=1-60;L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。 | ||
申请公布号 | CN101621106A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
申请号 | CN200910101320.5 | 申请日期 | 2009.07.30 |
申请人 | 中国计量学院 | 发明人 | 王乐;金尚忠;李晓艳;袁坤 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 杭州赛科专利代理事务所 | 代理人 | 陈 辉 |
主权项 | 1、一种具有增透效应薄膜的发光二极管,其特征在于包括LED发光芯片、反光碗和LED发光芯片的引出导线,LED发光芯片置于反光碗内,LED发光芯片和反光碗封装于封装胶体内;所述LED发光芯片的出光面镀有电介质氧化物增透薄膜;LED发光芯片、电介质氧化物增透膜、封装胶体组成的膜系结构为Sub1/(HL)^n/Sub2,Sub1为LED发光芯片的半导体材料,Sub2为封装胶体,L为镀膜的低折射率电介质氧化物材料,H为镀膜的高折射率电介质氧化物材料,2n为膜层总数,n=1-60;L、H均为电介质材料中的钛、钽、铪、硅、锆、锡、锌、锗、铝中的一种的氧化物。 | ||
地址 | 310018浙江省杭州市下沙高教园区学源街 |