| 发明名称 | 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101621108A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200910112318.8 | 申请日期 | 2009.07.30 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 康俊勇;林伟;李书平;陈航洋;刘达艺;陈珊珊;杨伟煌 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 1.基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构，其特征在于其结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，所述p型GaN半导体层设有正电极，n型GaN基半导体层上设有负电极。 | ||
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||