一种多栅极场效应晶体管元件的制造方法

摘要

本发明是有关于一种用于形成可达6个场效应晶体管元件的多栅极区域场效应晶体管元件及其形成方法，该元件包括：一包括半导体材料的多鳍状结构，设置在基材之上；该多鳍状结构包括实质平行间隔分开的侧壁部分，每一侧壁部分包括主要内、外表面与上表面；其中每一表面包括一表面用以形成一场效应晶体管于其上。本发明包括多栅极区域的先进CMOSFET元件结构，其具有改进的元件速度与性能以适用于形成先进的集成电路元件。

主权项

1、一种形成多栅极区域场效应晶体管元件的方法，其特征在于其包括如下步骤：形成第一半导体材料于一基材之上；形成一开口于该第一半导体材料之中，以暴露出位于该开口底部的该基材；形成平行间隔分开的二侧壁部分于该开口的内表面上，其中该些侧壁部分包含一第二半导体材料，且每一该些侧壁部分包括内、外表面与上表面；移除该第一半导体材料；形成一连续的栅极结构于该些侧壁部分的该些表面上，以形成多个场效应晶体管，该栅极结构包括栅极电介质与在其上的栅极电极。