薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在一透明基板上形成一栅极层图案及与所述栅极电气连接的一栅极扫描线；使用半曝光掩模版通过光刻与两次绝缘层薄膜生长形成具有不同厚度的栅极绝缘层；形成半导体层；形成沟道区、漏极/源极以及与源极电气连接的数据线，并定义出像素区域；在漏极上方形成钝化绝缘层，并在钝化绝缘层上刻蚀出接触孔；在透明基板表面形成像素电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在一透明基板上依次形成一第一金属层和第一绝缘层膜，使用一半曝光掩模版，所述半曝光掩模版具有非曝光区、半曝光区和全曝光区，对应不同的曝光区域，形成厚度不同的光刻胶，刻蚀去除未受光刻胶保护的第一金属层和第一绝缘层膜，形成一栅极、与所述栅极电气连接的一栅极扫描线及第一栅极绝缘层图案；接着，进行光刻胶减薄，去除半曝光区域的光刻胶，保留非曝光区域的光刻胶，然后沉积具有一定厚度的第二绝缘层，去除保留的光刻胶，并将沉积其上的第二绝缘层一并去除，形成具有不同厚度的绝缘层；形成半导体层；形成沟道区、漏极/源极以及与源极电气连接的数据线，并定义出像素区域；在漏极上方形成钝化绝缘层，并在钝化绝缘层上刻蚀出接触孔；在透明基板表面形成像素电极。