发明名称 具有掺杂层的有机发光二极管
摘要 本发明涉及一种有机发光二极管,包括下电极(2)和上电极(8)、有机发光层(5)和与所述电极之一接触的至少一个掺杂有机层(3;7)。根据本发明,该有机层的掺杂水平在与该电极的界面处比在该层(3)的核心处高。本发明使得能够非常显著地改善二极管的光输出。
申请公布号 CN100578837C 申请公布日期 2010.01.06
申请号 CN200580040830.6 申请日期 2005.11.24
申请人 汤姆森特许公司 发明人 克里斯托夫·费里;萨尔瓦托·赛恩;贝努瓦·拉赛恩
分类号 H01L51/50(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波
主权项 1、一种有机发光二极管,包括:基板;在与该基板相同侧的第一种类的下电极和在与该基板相反侧的第二种类的上电极,所述电极种类对应于阳极和阴极;有机发射电致发光层,其置于该下电极和该上电极之间;以及与所述下电极和上电极之一接触的由掺杂有机材料制成的至少一个有机材料层,该有机材料层置于所述下电极和上电极之一与所述电致发光层之间,如果所述有机材料层接触的所述下电极和上电极之一为阴极,则所述有机材料层被掺杂以施主掺杂剂,和/或如果所述有机材料层接触的所述下电极和上电极之一为阳极,则所述有机材料层被掺杂以受主掺杂剂,且所述掺杂剂浓度在该有机材料层的与该有机材料层接触的所述下电极和上电极之一相反侧的边界处为零或几乎为零;其特征在于:该有机材料层的掺杂水平在该有机材料层和该有机材料层接触的所述下电极和上电极之一之间的界面处比在该有机材料层的掺杂部分的核心中高;在所述界面处存在大于0.2eV的势垒,因此该界面形成肖特基结;以及在该有机材料层中,具有零或几乎为零的掺杂剂浓度的片的厚度严格小于具有非零掺杂剂浓度的片的厚度。
地址 法国布洛涅