一种栅氧化层的制造方法

摘要

本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括以下步骤：在基底表面的垫层氧化层上沉积第一氮化物层；以该第一氮化物层作为硬罩幕层蚀刻该氮化物层和基底形成具有预定厚度的深沟槽；再沉积第二氮化物层；蚀刻去除深沟槽底部的第二氮化物层，而后在深沟槽底部形成底部氧化物层；蚀刻去除垫层氧化层上的氮化物层和沟槽内的氮化物层；在以上形成的结构上表面形成栅极氧化物层。采用本发明的方法制造栅氧化层可以使晶体管的沟槽底部的氧化层厚度增加，减少栅极充放电容，而不影响晶体管的其他电性参数。

主权项

1、一种栅氧化层的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、在基底表面的垫层氧化层上沉积第一氮化物层；步骤2、以该第一氮化物层作为硬罩幕层蚀刻该氮化物层和基底形成具有预定厚度的深沟槽；步骤3、再沉积第二氮化物层；步骤4、蚀刻去除深沟槽底部的第二氮化物层，而后在深沟槽底部形成底部氧化层；步骤5、蚀刻去除垫层氧化层上的氮化物层和沟槽内的氮化物层；步骤6、在步骤5形成的结构上表面形成栅氧化物层。