发明名称 半导体装置的制造方法及半导体装置
摘要 本发明公开一种半导体装置的制造方法及半导体装置,该半导体装置的制造方法包括以下步骤:a)提供一基板;b)附着一芯片至该基板的一表面;c)形成若干个导电元件以电性连接该芯片及该基板;d)形成若干个第一导体于该基板的该表面;e)形成一封胶材料以包覆该基板的该表面、该芯片、这些导电元件及这些第一导体;及f)去除该封胶材料的一外围区域,使得该封胶材料具有至少两个高度,且暴露出这些第一导体的一端。通过这种方式,该封胶材料会包覆该基板的整个该表面,因此不会污染该表面上的焊垫。
申请公布号 CN100578745C 申请公布日期 2010.01.06
申请号 CN200710167235.X 申请日期 2007.10.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 吴彦毅;宋威岳;张简宝徽;李政颖;翁国良;朱吉植
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人 翟 羽
主权项 1.一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:a)提供一第一基板,该第一基板具有一第一表面及一第二表面;b)附着一第一芯片至该第一基板的第一表面;c)形成若干个第一导电元件以电性连接该第一芯片及该第一基板;d)形成若干个第一导体于该第一基板的第一表面;及e)形成一第一封胶材料以包覆该第一基板的第一表面、该第一芯片及这些第一导电元件;其特征在于:在步骤e)中,该第一封胶材料还包覆这些第一导体,该半导体装置的制造方法还包括以下步骤:f)去除该第一封胶材料的一外围区域,使得该第一封胶材料具有一第一顶面及一第二顶面,该第一顶面及该第二顶面具有不同高度,其中该第二顶面为一切割面,且暴露出这些第一导体的一端,该第二顶面具有若干条切割纹路,位于该第二顶面四边的该切割纹路为平行,位于该第二顶面四个角落的该切割纹路为垂直交错。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号