发明名称 一种长方体形氧化铟单晶的制备方法
摘要 本发明公开了一种长方体形氧化铟单晶的制备方法,所述方法属于水热法,包括配制形貌控制剂、配制铟盐溶液、制备前驱体、离心分离、煅烧、自然冷却等步骤。本发明通过使用形貌控制剂,解决了现有技术使用水热法存在样品的形貌很难控制、容易塌陷及形成的晶体为多晶的难题,实现了使用水热法制得形貌可控的长方体形氧化铟单晶;由本发明制备方法所得氧化铟单晶分散性好、形貌均一可控;且本发明的制备方法简单,原料易得,成本低廉,可大规模工业化生产。
申请公布号 CN100577895C 申请公布日期 2010.01.06
申请号 CN200810035930.5 申请日期 2008.04.11
申请人 上海师范大学 发明人 彭子飞;杜燕云;徐铸
分类号 C30B29/16(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/16(2006.01)I
代理机构 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 代理人 何葆芳
主权项 1.一种长方体形氧化铟单晶的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:a)配制形貌控制剂:按配比依次加入氨水、正庚醇、环己胺及壬酸,在-5℃~5℃混合搅拌5min,其中:氨水、正庚醇、环己胺及壬酸的体积比为3∶20∶20∶20;b)配制铟盐溶液:将铟盐化合物加入蒸馏水中,在-5℃~5℃搅拌使其完全溶解,形成透明溶液,其中:铟离子的摩尔浓度为0.07mol/L~0.08mol/L;c)制备前驱体:在-5℃~5℃,将上述配制的铟盐溶液滴加到上述配制的形貌控制剂中,滴加速度控制在60滴/分钟;滴毕,搅拌5分钟;然后转入反应釜中,放于熔炉中加热到150~200℃,保温2~4小时,其中:铟盐溶液与形貌控制剂溶液的体积比为(1.4~1.8)∶1;d)离心分离,将所得胶状物于60℃干燥2小时;e)将上述干燥物于500~800℃煅烧1~3小时;f)自然冷却,即得目标产物。
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