摘要 |
Instalación de revestimiento, especialmente instalación de revestimiento por PECVD, que comprende una cámara de proceso y un sistema de conducción de gas (1) para el suministro y/o la evacuación de un gas a o de la cámara de proceso de la instalación de revestimiento, presentando el sistema de conducción de gas (1) al menos una abertura de alimentación (2) para alimentar gas al sistema de conducción de gas (1) o para evacuar gas del sistema de conducción de gas (1), al menos dos aberturas de salida (4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) para evacuar el gas del sistema de conducción de gas (1) o para introducir el gas en el sistema de conducción de gas (1), así como conductos (3a, 3b, 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc) dispuestos respectivamente entre la al menos una abertura de alimentación (2) y las aberturas de salida (4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f), estando configurados los conductos (3a, 3b, 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc) de tal forma que la resistencia al flujo de los conductos (3a, 3b, 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc) entre la al menos una abertura de alimentación (2) y las aberturas de salida (4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) es sustancialmente igual, caracterizada porque el sistema de conducción de gas (1) presenta al menos un punto de ramificación (2a, 2b), en el que un primer tramo de conducto (3a, 3b) desemboca en al menos tres segundos tramos de conducto (3a, 3b, 3aa, 3ab, 3ac, 3ba, 3bb, 3bc) dispuestos a continuación del primer tramo de conducto (3a, 3b).
|