PROCEDIMIENTO DE TEXTURIZACION DE LA SUPERFICIE DE SILICIO MULTICRISTALINO DE TIPO P Y CELULA SOLAR QUE COMPRENDE SILICIO MULTICRISTALINO DE TIPO P.

摘要

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UNA CELULA SOLAR QUE COMPRENDE SILICIO MULTICRISTALINO, O UNA DE SUS ALEACIONES, QUE PRESENTA UNA SUPERFICIE DESTINADA A RECIBIR LA RADIACION LUMINOSA, CARACTERIZADA POR EL HECHO DE QUE DICHA SUPERFICIE DE SILICIO LLEVA UNA MULTITUD DE AGUJEROS DE FORMA ALVEOLAR, DE PROFUNDIDAD COMPRENDIDA ENTRE 0,1 (MU)M Y 10(MU)M, DE DIAMETRO COMPRENDIDO ENTRE 0,1 (MU)M Y 10 (MU)M, Y CUYA RELACION DE DICHA PROFUNDIDAD CON DICHO DIAMETRO ES SUPERIOR A 1, OCUPANDO LA SUPERFICIE DE DICHOS AGUJEROS MAS DE LA MITAD DE DICHA SUPERFICIE DE SILICIO.