发明名称 |
用来催化单壁碳管生成反应之触媒的制造方法 |
摘要 |
在基材上沉积金属氧化薄膜。金属氧化薄膜的金属成分包括催化碳管生长之过渡金属、前驱金属以及贵重金属所组成。上述之前驱金属的金属氧化物可防止触媒颗粒聚集在一起。然后,再通入还原气体还原金属氧化薄膜,以形成用来催化单壁碳管生成反应之触媒。 |
申请公布号 |
TWI318897 |
申请公布日期 |
2010.01.01 |
申请号 |
TW095119470 |
申请日期 |
2006.06.01 |
申请人 |
铼德科技股份有限公司 |
发明人 |
王威翔;郭正次;洪蔡豪 |
分类号 |
B01J37/16;B01J23/74;B01J23/24;B01J23/38;C23C16/26 |
主分类号 |
B01J37/16 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 |
主权项 |
一种触媒的制造方法,该触媒用来催化碳管的生成反应,该触媒的制造方法包括:沉积一金属氧化薄膜于一基材上,该金属氧化薄膜之金属组成基本上是由下述金属所组成:催化碳管生长之一过渡金属;一前驱金属,该前驱金属之金属氧化物可防止触媒颗粒聚集在一起;以及一贵重金属,该贵重金属之金属氧化物在还原时,会产生类似爆炸之效应来分散该过渡金属的触媒颗粒;以及通入一还原气体,还原该金属氧化薄膜,以形成一触媒薄膜,其中该过渡金属与该贵重金属在该触媒薄膜中为金属元素态,该前驱金属在该触媒薄膜中为氧化态。 |
地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区光复北路42号 |