发明名称 晶片内建电感元件
摘要 本发明揭示一种晶片内建电感元件,其包括:第一绕线部及第二绕线部,相互对称的设置于一基底上的绝缘层内且相互电性连接。第一绕线部及第二绕线部包括至少二同心排列的半圈型导线部,其中至少一相对外侧的半圈型导线部的截面积小于至少一相对内侧的半圈型导线部的截面积。再者,位于相对内侧的该半圈型导线部包括:一第一半圈型顶层导线以及位于其下方且与其电性连接的一第一多层导线结构,包括复数重叠且分开的导线以及用以电性连接导线的复数导电插塞。
申请公布号 TWI319232 申请公布日期 2010.01.01
申请号 TW095136539 申请日期 2006.10.02
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 李胜源
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种晶片内建电感元件,包括:一绝缘层,设置于一基底上;以及一第一绕线部及一第二绕线部,相互对称设置于该绝缘层内且相互电性连接,该第一绕线部及该第二绕线部包括至少二同心排列的半圈型导线部;其中至少一相对外侧的该半圈型导线部的截面积小于至少一相对内侧的该半圈型导线部的截面积;其中位于该相对内侧的该半圈型导线部包括:一第一半圈型顶层导线;以及一第一多层导线结构,位于该第一半圈型顶层导线下方且与其电性连接,包括复数重叠且分开的导线以及用以电性连接该等导线的复数导电插塞。
地址 台北县新店市中正路535号8楼