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Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors, der einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Basiszone (11) eines ersten Leitungstyps und wenigstens eine wenigstens teilweise in der ersten Basiszone (11) angeordnete, sich in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (110) erstreckende und komplementär zu der Basiszone dotierte zweite Basiszone aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (110); Herstellen mehrerer übereinander angeordneter Epitaxieschichten (121-125) auf dem Halbleitersubstrat (110), die jeweils eine Grunddotierung des ersten Leitungstyps aufweisen und die zusammen mit dem Halbleitersubstrat (110) den Halbleiterkörper (100) bilden; Herstellen von Halbleiterzonen eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps in den Epitaxieschichten (121-125) derart, dass sich die komplementär dotierten Halbleiterzonen in vertikaler Richtung aneinander anschließen und so die wenigstens eine zweite Basiszone (21) bilden. Beschrieben wird außerdem ein Strahlungsdetektor.
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