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发明名称 Verfahren zum Bilden einer Passivierungsschicht eines Halbleiterbauelements und Struktur einer Passivierungsschicht eines Halbleiterbauelements
摘要
申请公布号 DE102004060442(B4) 申请公布日期 2009.12.31
申请号 DE200410060442 申请日期 2004.12.14
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KIM, SANG DEOK
分类号 H01L21/314;G11C16/04;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L23/29;H01L27/115 主分类号 H01L21/314
代理机构 代理人
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