| 摘要 |
Eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie umfasst eine Projektionsoptik (12) zum Abbilden von Maskenstrukturen in eine Substratebene (16), ein Eingangsbeugungselement (28), welches dazu konfiguriert ist, eingestrahlte Messstrahlung (21) in mindestens zwei auf die Projektionsoptik (12) gerichtete Prüfteilstrahlen (30) unterschiedlicher Ausbreitungsrichtung umzuwandeln, ein Detektionsbeugungselement (34; 28), welches im Strahlengang der Prüfteilstrahlen (30) nach Durchlaufen der Projektionsoptik (12) angeordnet ist und dazu konfiguriert ist, aus den Prüfteilstrahlen (30) einen Detektionsstrahl (36) zu erzeugen, der eine Mischung von Strahlungsanteilen beider Prüfteilstrahlen (30) aufweist, einem im Strahlengang des Detektionsstrahls (36) angeordneten Photodetektor (38)nsität des Detektionsstrahls (36) zeitaufgelöst zu erfassen, sowie eine Auswerteeinheit, welche dazu konfiguriert ist, aus der erfassten Strahlungsintensität die laterale Abbildungsstabilität der Projektionsoptik (12) zu ermitteln. |
