发明名称 | 多晶硅制造装置 | ||
摘要 | 本发明的多晶硅制造装置,在供给有原料气体的反应炉(1)内,通过加热硅芯棒(4)而使多晶硅析出在硅芯棒的表面。本发明的多晶硅制造装置具有电极(23)、电极托架(22)、及环状绝缘材料(34)。电极沿上下方向延设保持硅芯棒。电极托架内部形成有使冷却介质流通的冷却流路(27),并插入形成在反应炉的底板部(2)上的通孔(21)内,保持电极。环状绝缘材料配置在通孔的内周面和电极托架的外周面之间,使底板部和电极托架之间电气地绝缘。并且,在本发明的多晶硅制造装置中,在电极托架的外周面上设置有扩径部(25),该扩径部与环状绝缘材料的上端部的上表面的至少一部分接触,在其内部形成了冷却流路的一部分。 | ||
申请公布号 | CN101613106A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
申请号 | CN200910150342.0 | 申请日期 | 2009.06.23 |
申请人 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 发明人 | 远藤俊秀;手计昌之;石井敏由记;坂口昌晃 |
分类号 | C01B33/035(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/035(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏 |
主权项 | 1.一种多晶硅制造装置,在供给了原料气体的反应炉内,通过加热硅芯棒而使多晶硅析出在硅芯棒的表面,其特征在于,具有:电极,沿上下方向延设保持上述硅芯棒;电极托架,内部形成有使冷却介质流通的冷却流路,并插入形成在上述反应炉的底板部上的通孔内,保持上述电极;环状绝缘材料,配置在上述通孔的内周面和上述电极托架的外周面之间,使上述底板部和上述电极托架之间电气地绝缘,在上述电极托架的外周面上设置有扩径部,该扩径部与上述环状绝缘材料的上端部的上表面的至少一部分接触,在其内部形成有上述冷却流路的一部分。 | ||
地址 | 日本东京都 |