制造多晶硅和硅-锗太阳能电池的方法和系统

摘要

本发明涉及制造硅或硅-锗光电池应用的新的非常规方法和系统。在一些实施方案中，通过热等离子化学蒸气沉积方法或热等离子喷雾技术，硅(或硅锗)的高纯度气体和/或液体中间体化合物直接转化成多晶薄膜。硅(或硅锗)的中间体化合物注入2000K至约20,000K温度的热等离子源。化合物离解，并且硅(或硅锗)沉积在基片上。在冷却时得到具有接近体值密度的多晶薄膜。可通过喷雾直接制备PN结光电池，或者随后将热处理后的掺杂薄膜以高通过量转换成具有高效率、低成本的活力光电池。在一些实施方案中提供滚筒式或群集工具类型的自动连续系统。

主权项

1.一种形成太阳能电池或光伏器件的方法，其特征在于用氢热处理液体和/或气体形式的一种或多种硅中间体，以直接在基片上形成多晶硅薄膜，其中所述热处理被设计成促进提高形成的多晶硅薄膜的晶粒品质。