发明名称 电子元件键合方法
摘要 第一电子元件(1),特别是半导体芯片,以及第二电子元件(2),特别是衬底,每一电子元件均具有主表面,通过在每一主表面上施加至少一层包含铟层的金属层(3,3’),使得第一电子元件和第二电子元件相互键合。从而半导体芯片以及衬底的主表面相互面对,而相互相对排列。所述芯片、衬底以及两者之间的金属层(3,3’)形成装置,被放入加压工具。然后在加压工具中以10到35MPa的压力对所述装置施加压力,并在230℃到275℃的范围内加热,在所述温度和压力下,电子元件(1,2)被键合在一起。加压过程是在其中为含氧气氛的加压工具中实施的。
申请公布号 CN100576482C 申请公布日期 2009.12.30
申请号 CN200680040725.7 申请日期 2006.10.31
申请人 ABB研究有限公司 发明人 S·冈图里;R·泽林格;W·纳普
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘 杰;王小衡
主权项 1.一种电子元件键合方法,其中第一电子元件(1),以及第二电子元件(2),在键合工序中相互固定,每一个电子元件(1,2)都具有主表面,所述方法包括以下步骤:-在所述电子元件(1,2)的每一主表面上设置包含铟层的至少一层金属层(3,3’),-所述第一和第二电子元件(1,2)的主表面相互面对,而相互相对排列,第一和第二电子元件(1,2)以及之间的至少一层金属层(3,3’)形成装置,以及-将所述装置放入加压工具,其特征在于:-以10到35Mpa的压力对所述装置施加压力,并且-加压工序在其中为含氧气体气氛的加压工具中实施,并且-在230℃到275℃的范围内加热所述装置。
地址 瑞士苏黎世