发明名称 |
电子元件键合方法 |
摘要 |
第一电子元件(1),特别是半导体芯片,以及第二电子元件(2),特别是衬底,每一电子元件均具有主表面,通过在每一主表面上施加至少一层包含铟层的金属层(3,3’),使得第一电子元件和第二电子元件相互键合。从而半导体芯片以及衬底的主表面相互面对,而相互相对排列。所述芯片、衬底以及两者之间的金属层(3,3’)形成装置,被放入加压工具。然后在加压工具中以10到35MPa的压力对所述装置施加压力,并在230℃到275℃的范围内加热,在所述温度和压力下,电子元件(1,2)被键合在一起。加压过程是在其中为含氧气氛的加压工具中实施的。 |
申请公布号 |
CN100576482C |
申请公布日期 |
2009.12.30 |
申请号 |
CN200680040725.7 |
申请日期 |
2006.10.31 |
申请人 |
ABB研究有限公司 |
发明人 |
S·冈图里;R·泽林格;W·纳普 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘 杰;王小衡 |
主权项 |
1.一种电子元件键合方法,其中第一电子元件(1),以及第二电子元件(2),在键合工序中相互固定,每一个电子元件(1,2)都具有主表面,所述方法包括以下步骤:-在所述电子元件(1,2)的每一主表面上设置包含铟层的至少一层金属层(3,3’),-所述第一和第二电子元件(1,2)的主表面相互面对,而相互相对排列,第一和第二电子元件(1,2)以及之间的至少一层金属层(3,3’)形成装置,以及-将所述装置放入加压工具,其特征在于:-以10到35Mpa的压力对所述装置施加压力,并且-加压工序在其中为含氧气体气氛的加压工具中实施,并且-在230℃到275℃的范围内加热所述装置。 |
地址 |
瑞士苏黎世 |