| 发明名称 | 确定沟槽刻蚀时间的方法和浅沟槽隔离的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种确定沟槽刻蚀时间的方法，包括：提供具有沟槽图案的第一掩膜板，获得该第一掩膜板的透光率；将所述透光率的值输入到预先获得的第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系中，计算与所述第一掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间，其中，所述第二掩膜板具有沟槽图案，且所述第二掩膜板的沟槽图案和第一掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点。本发明还提供一种浅沟槽隔离的制造方法。本发明获得沟槽的刻蚀时间的工艺较为简单，且节省时间。 | ||
| 申请公布号 | CN100576459C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200710042139.2 | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈海华;黄怡;张海洋;张世谋 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种确定沟槽刻蚀时间的方法，其特征在于，包括：提供具有沟槽图案的第一掩膜板，获得该第一掩膜板的透光率；将所述透光率的值输入到预先获得的第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系中，计算与所述第一掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间，其中，所述第二掩膜板具有沟槽图案，且所述第二掩膜板的沟槽图案和第一掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点；获得所述第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系的步骤如下：提供一组具有不同透光率的第二掩膜板，该组第二掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点；通过光刻和刻蚀工艺将第二掩膜板的沟槽图案转移到半导体衬底中，形成沟槽，并检测每一第二掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间；拟合沟槽刻蚀时间与第二掩膜板的透光率的关系曲线。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||