| 发明名称 | 栅极及NMOS晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极的制作方法，包括：提供依次带有栅介电层、多晶硅层、硬掩膜层及图案化光刻胶层的半导体衬底；以光刻胶层为掩膜，刻蚀硬掩膜层和多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极，所述栅极两侧形成有聚合物层；依次去除光刻胶层和硬掩膜层后，去除聚合物层。本发明还提供一种NMOS晶体管的形成方法。本发明在去除硬掩膜层后再去除聚合物层，由于聚合物层在去除硬掩膜层过程中对栅极两侧的保护，使栅极不因均匀性问题而被破坏，保持完整。 | ||
| 申请公布号 | CN100576453C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200710046810.0 | 申请日期 | 2007.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄怡;张海洋;陈海华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供依次带有栅介电层、多晶硅层、硬掩膜层及图案化光刻胶层的半导体衬底；以光刻胶层为掩膜，利用刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和多晶硅层至露出栅介电层，形成栅极，由于光刻胶层与刻蚀气体反应在所述栅极两侧形成有聚合物层；依次去除光刻胶层和硬掩膜层后，去除聚合物层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||