| 发明名称 | 通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤：提供衬底，且所述衬底上具有介质层；利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案；利用第一预刻蚀气体进行第一预刻蚀，去除未被所述掩膜保护的所述介质层的一部分；利用第二预刻蚀气体进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的碳/氟比；进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。采用本发明的通孔形成方法，可以在保持较小孔径的情况下，形成质量较好的通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN100576498C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200710040980.8 | 申请日期 | 2007.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 沈满华;王新鹏;刘乒;孙武 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，且在所述衬底上具有介质层；利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案；利用第一预刻蚀气体对所述介质层进行第一预刻蚀，在部分厚度的所述介质层中形成通孔，并在通孔侧壁形成聚合物；利用第二预刻蚀气体对所述介质层以及第一刻蚀中形成的通孔侧壁上的聚合物进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的碳/氟比，在部分厚度的剩余的介质层中形成通孔，且使所述第一预刻蚀中形成通孔的侧壁上的聚合物减少；对所述介质层进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的剩余的介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||