基板清洗方法以及显影装置

摘要

向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。

主权项

1.一种基板清洗方法，在向曝光的基板的表面供给显影液进行显影后，对基板的表面进行清洗，其特征在于，包括：一边使水平保持基板的基板保持部绕垂直轴旋转，一边向基板的中心部供给清洗液的工序；此后，使基板保持部一直旋转，停止清洗液的供给从而使基板的中心部产生清洗液的干燥区域或是将清洗液的供给位置以比干燥区域的扩展速度快的速度从基板的中心部移动到外侧，从而使基板的中心部产生清洗液的干燥区域的工序；在使基板保持部以1500rpm以上的转速旋转的状态下，不向上述干燥区域内供给清洗液而使上述干燥区域从基板的中心部向外在离心力作用下自然地扩展的工序；向上述基板的表面上不会妨碍基于离心力的干燥区域的自然扩展的该干燥区域的外侧区域供给清洗液的工序。