向接收基板转移碳化硅薄层的优化方法

摘要

本发明涉及从源基板(1)向接收基板(4)转移单晶碳化硅薄层(100)的优化方法，包括由以下组成的步骤：-用大多数的H⁺离子轰击所述源基板(1)的正面以形成脆化带(5)，-沿所述脆化带(5)从所述源基板(1)的剩余部分(10)分离所述薄层(100)，其特征在于，根据以下不等式进行H⁺离子的注入，其中注入计量D用每平方厘米的H⁺离子数目来表示，且用keV表示注入能量E，其大于或等于95keV：[(E×1·10¹⁴+5·10¹⁶)/1.1]≤D≤[(E×1·10¹⁴+5·10¹⁶)/0.9]且其特征在于，在粘合步骤之后，施加足够的热量束以完整地或几乎完整地剥落未转移到所述接收基板(4)的源基板(1)的所述薄层(100)的带(12)。

主权项

1.一种转移单晶碳化硅薄层(100)的方法，其从相同材料的源基板(1)向接收基板(4)转移，该方法促使源基板(1)的剩余部分(10)的再循环，包括由以下组成的步骤：-用离子轰击所述源基板(1)的平坦面(2)，以便在所述离子的平均注入深度p上形成脆化区域(5)，该区域(5)在所述薄层(100)和所述基板(1)的剩余部分(10)之间形成界限，用注入能量E和注入剂量D完成该使用离子的轰击，其中所述离子包括H+离子和任选地氦或硼离子，-将所述接收基板(4)粘合到所述平坦面(2)，-沿所述脆化区域(5)从源基板(1)的剩余部分(10)分离所述薄层(100)，其特征在于，H+离子的注入根据以下不等式完成，其中注入剂量D用每平方厘米的H+离子数目来表示，且用keV表示注入能量E，其大于或等于95keV：[(E×1·1014+5·1016)/1.1]≤D≤[(E×1·1014+5·1016)/0.9]以便以优化方式使所述脆化区域(5)脆化，并在粘合步骤后，施加700℃以上的热量束以便于完整地或几乎完整地剥落未转移到所述接收基板(4)的源基板(1)的所述薄层(100)的区域(12)。