发明名称 |
半导体装置中形成金属线的方法 |
摘要 |
一种在半导体装置中形成线的方法,其包括如下步骤:在形成有预定结构的半导体衬底上形成层间绝缘膜;在该层间绝缘膜中形成沟槽,经由该沟槽暴露该半导体衬底的预定区域;在包括该沟槽在内的整个表面上相继形成胶合层及第一阻挡金属膜;在该沟槽的底部形成第二阻挡金属膜;及在该沟槽内形成线。 |
申请公布号 |
CN100576493C |
申请公布日期 |
2009.12.30 |
申请号 |
CN200510082045.9 |
申请日期 |
2005.07.05 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
金兑京;赵直镐 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯 宇 |
主权项 |
1.一种在半导体装置中形成线的方法,该方法包含:在形成有预定结构的半导体衬底上形成层间绝缘膜;在该层间绝缘膜中形成沟槽,经由该沟槽暴露该半导体衬底的预定区域;在包括该沟槽在内的整个表面上相继形成胶合层及第一阻挡金属膜;在该沟槽的底部形成第二阻挡金属膜,该第二阻挡金属膜形成在该沟槽的底部及在该沟槽之外的该第一阻挡金属膜上而没有形成于该沟槽的侧壁上;及在该沟槽内形成线。 |
地址 |
韩国京畿道 |