绝缘栅型半导体装置

摘要

本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p⁺型杂质区域的情况下，p⁺型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏-源间反向耐压达到数百伏时，在球面状的端部就会电场集中，无法得到足够的漏-源间反向耐压。在平面图形中，当增大p⁺型杂质区域的角部曲率时，就要牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方的整个面设置p⁺型杂质区域，也能够确保规定的漏-源间反向耐压。此外，在栅焊盘电极下方的条状的多晶硅形成保护二极管。

主权项

1、一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体衬底；栅电极，其在所述一导电型半导体衬底的一主面条状设置；反向导电型的沟道区域，其沿着所述栅电极在所述一主面上条状设置；第一绝缘膜，其设置在所述栅电极与所述沟道区域之间；一导电型的源区域，其沿着所述栅电极在所述一主面的所述沟道区域条状设置；第二绝缘膜，其设置在所述栅电极上；栅焊盘电极，其在下方配置与源电极电连接的反向导电型的沟道区域；以及条状的pn结二极管，其经由所述第二绝缘膜设置在所述栅焊盘电极下方。