| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种能够整体地控制存在于一种导电类型的区域中的晶体管和存在于相反导电类型的区域中的晶体管的栅电极的阈值同时抑制噪声传播的半导体器件。数字电路区(123)和模拟电路区(121)位于P-Si衬底(101)上。P阱(103)和(193)以及N阱(105)和(195)位于模拟电路区(121)中。P阱(107)和(197)以及N阱(109)和(199)位于数字电路区(123)中。网格状的深N阱(111)与P阱(103)和N阱(105)的下表面接触。网格状的深N阱(113)与P阱(107)和N阱(109)的下表面接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100576544C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200510113754.9 | 申请日期 | 2005.10.14 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 大洼宏明;中柴康隆 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：一种导电类型的半导体衬底；和位于所述半导体衬底的多个晶体管形成区，其中所述多个晶体管形成区中的每一个都包括：在所述半导体衬底的元件形成表面侧形成的一种导电类型的第一区域；位于所述第一区域上的第一晶体管；在所述半导体衬底的元件形成表面形成的相反导电类型的第二区域；位于所述第二区域上的第二晶体管；以及在相对于所述第一区域和所述第二区域的底侧形成的且与所述第二区域的下表面接触的相反导电类型的下部区域，其中所述下部区域具有包括垂直地穿透所述下部区域的开口的平面形状，其中所述第一区域和所述半导体衬底的底侧区域经由所述开口彼此电连接，其中包括在所述多个晶体管形成区中的下部区域形成为彼此隔离，以及其中包括在所述多个晶体管形成区中的第二区域形成为彼此隔离，其中在所述下部区域之间的一种导电类型的半导体衬底的元件形成表面侧不形成阱。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||