一种TTL和CMOS兼容式输入缓冲器

摘要

一种TTL和CMOS兼容式输入缓冲器，包括参考电压产生器和输入缓冲器，输入缓冲器包括至少一级输入反相器，输入反相器包括PMOS管P1和NMOS管N2，PMOS管P1和NMOS管N2的栅极相连作为输入信号Vin的输入端，PMOS管P1的源极接参考电压产生器提供的参考电压VREF；当电路工作在TTL输入模式时，参考电压产生器提供给输入反相器的参考电压VREF在3.3～3.5V之间，输入反相器的翻转点电压为1.4V，使输入噪声容限最大；当电路工作在CMOS输入模式时，参考电压产生器没有静态功耗，参考电压产生器提供给输入反相器的参考电压VREF在4.6～5V之间，输入反相器的翻转点电压为2.5V，以获得最大噪声容限。

主权项

1、一种TTL和CMOS兼容式输入缓冲器，其特征在于包括：参考电压产生器(3)和输入缓冲单元(4)，输入缓冲单元(4)包括三级输入反相器，第一级输入反相器(5)包括PMOS管P1和NMOS管N2，PMOS管P1和NMOS管N2的栅极相连作为输入信号Vin的输入端，PMOS管P1的源极接参考电压产生器(3)提供的参考电压VREF，NMOS管N2的源极接地，PMOS管P1和NMOS管N2的漏极相连作为第一级输入反相器(5)的输出端；第二级输入反相器(6)包括PMOS管P13、P15和NMOS管N14，NMOS管N14的栅极与PMOS管P13的栅极相连作为第二级输入反相器(6)的输入端并接第一级输入反相器(5)的输出端，NMOS管N14的漏极与PMOS管P13的漏极相连作为第二级输入反相器(6)的输出端，NMOS管N14的源极接地，PMOS管P13的源极与PMOS管P15的漏极和栅极相连，PMOS管P15的源极接参考电位VCC；第三级输入反相器(7)包括PMOS管P30、P32和NMOS管N31，NMOS管N31的栅极与PMOS管P30的栅极相连作为第三级输入反相器(7)的输入端并接第二级输入反相器(6)的输出端，NMOS管N31的漏极与PMOS管P30的漏极相连作为第三级输入反相器(7)的输出端以及输入缓冲器的输出端Vout，NMOS管N31的源极接地，PMOS管P30的源极接参考电位VCC，PMOS管P32的栅极接第三级输入反相器(7)的输出端，PMOS管P32的漏极接第三级输入反相器(7)的输入端，PMOS管P32的源极接参考电位VCC；所述的参考电压产生器(3)包括电阻分压网络(24)、参考输入缓冲器(25)、运算放大器(26)和PMOS管P17、P21；电阻分压网络(24)产生参考电压VREF1并接至运算放大器(26)的反向输入端，参考输入缓冲器(25)产生参考电压VREF2并接至运算放大器(26)的同向输入端，运算放大器(26)的输出控制PMOS管P21的栅极，使得PMOS管P21的漏极为输入缓冲单元(4)中的第一级输入反相器(5)提供参考电压VREF，PMOS管P21的源极接参考电位VCC；电阻分压网络(24)包括电阻R18和R19，电阻R18的一端与PMOS管P17的漏极相连，电阻R18的另一端同时与运算放大器(26)的反向输入端以及电阻R19的一端相连，电阻R19的另一端接地，PMOS管P17的源极接参考电位VCC，PMOS管P17的栅极接模式控制信号EN；所述的参考输入缓冲器(25)包括PMOS管P22和NMOS管N23，PMOS管P22的栅极、漏极以及NMOS管N23的栅极、漏极均接至运算放大器(26)的同向输入端，NMOS管N23的源极接地，NMOS管N23的漏极与PMOS管P22的漏极相连；当模式控制信号EN为低电平时，电路工作在TTL输入模式，参考电压产生器(3)提供给第一级输入反相器(5)的参考电压VREF在3.3～3.5V之间，第一级输入反相器(5)的翻转点电压为1.4V，使得输入噪声容限最大；当模式控制信号EN为高电平时，电路工作在CMOS输入模式，参考电压产生器(3)提供给第一级输入反相器(5)的参考电压VREF在4.6～5V之间，第一级输入反相器(5)的翻转点电压为2.5V，以获取最大噪声容限。