| 发明名称 | 成膜装置和成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。 | ||
| 申请公布号 | CN100576460C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200680011266.X | 申请日期 | 2006.04.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 高桥毅;青山真太郎;品田敬宏;川上雅人 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种利用有机金属CVD法的成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，其中，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内，所述预备反应是，使所述第二气相原料与所述第一气相原料分解生成的活性第一前驱体发生反应，生成比所述第一前驱体不活性的第二前驱体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||