| 发明名称 | CMOS图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的制造方法，包括以下步骤：将第一导电类型掺杂剂注入半导体衬底中，并在所述半导体衬底的表面上形成光电二极管区；对形成有光电二极管区的所述半导体衬底进行尖峰退火，由此抑制第一导电类型掺杂剂的扩散并去除晶格间的空隙；以及将第二导电类型掺杂剂注入所述光电二极管区的上部，以形成第二导电类型扩散区。本发明能够改善光电二极管的暗电流及接收光的灵敏度特性。 | ||
| 申请公布号 | CN100576511C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200710142658.6 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李政皓 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，所述方法包括以下步骤：将第一导电类型掺杂剂注入半导体衬底中，并在所述半导体衬底的表面中形成光电二极管区；对形成有所述光电二极管区的所述半导体衬底进行尖峰退火；以及将第二导电类型掺杂剂注入所述光电二极管区的上部，以形成第二导电类型扩散区，其中，进行所述尖峰退火的条件为：在气体气氛中，在低于1000℃的温度下，同时每秒升高100至200℃。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||