三维微纳结构印章的制备及批量复制方法

摘要

本发明公开了一种基于UV-LIGA工艺和FIB刻蚀技术的三维微纳结构印章的制备及批量复制方法，首先用UV-LIGA工艺制备微米印章，然后用FIB设备对微米印章进行刻蚀制备微纳米图案，使离子束能量为1～60kV，刻蚀电流为1～100pA，点刻蚀时间为0.01～1ms，将所得三维微纳结构印章通过热压印或软刻蚀方法对聚合物实施纳米压印，热压印方法中的加热温度高于聚合物的玻璃转化温度10～100℃，所加压力为100～30kN，软刻蚀方法中的聚二甲基硅氧烷预聚体和固化剂的比例为9∶1～11∶1。本发明既能快速加工微米尺度图案，又能在其中继续加工纳米图案，从而在同一块印章上按需要制备不同长、宽、高的三维复杂微纳米图案，可批量制备耐受压力的金属印章，延长了印章的使用寿命。

主权项

1、一种三维微纳结构印章的制备方法，其特征是采用以下两步：(1)用UV-LIGA工艺制备微米印章首先制备UV-LIGA掩膜版，然后利用紫外曝光在硅片的光刻胶上形成微米图案，接着以胶为掩膜对硅进行RIE刻蚀，并去胶，形成硅的微米印章，然后通过溅射在硅上沉积一薄层金属，并通过电镀在硅上形成金属，湿法刻蚀去除硅材料得到金属微米印章；(2)用FIB对微米印章进行刻蚀制备微纳米图案将微纳米图案导入FIB设备中，然后调节FIB的刻蚀参数在微米印章指定处刻蚀，使离子束能量为1～60kV，刻蚀电流为1～100pA，点刻蚀时间为0.01～1ms，最后在微米印章上形成预先设定的图案，即得三维微纳结构印章。