| 发明名称 | 肖特基器件和形成方法 | ||
| 摘要 | 传导层(41)包括第一部分，其与下面的具有第一传导类型的第一区域形成了肖特基区域(25)。具有第二传导类型的第二区域(12，11)位于第一区域(22)下面，其中第二传导类型与第一传导类型相反。具有第一传导类型的第三区域(21)直接位于第二区域(12，11)下面，并且电气耦合到器件的阴极(52)。 | ||
| 申请公布号 | CN100576569C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200580021992.5 | 申请日期 | 2005.05.19 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 维什努克·肯卡;维贾·帕塔萨拉蒂;祝荣华;阿米塔瓦·博斯 |
| 分类号 | H01L29/80(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L31/062(2006.01)I;H01L31/113(2006.01)I;H01L31/119(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种肖特基器件，包括：连接到传导层(41)的所述肖特基器件的第一接线端(53)，所述传导层的第一部分是肖特基接触；位于所述肖特基接触下面的具有第一传导类型的第一区域(22)，其中，在所述肖特基接触与所述第一区域之间存在适当的功函数差，以形成肖特基区域(25)；位于所述第一区域下面的具有第二传导类型的第二区域(11)，所述第二传导类型与所述第一传导类型相反；具有所述第一传导类型的第三区域(21)，所述第三区域具有位于所述第二区域下面的第一部分；所述肖特基器件的第二接线端(52)，位于所述第一区域上面并且电气连接到所述第一区域和电气连接到所述第三区域；在横向方向与所述第一区域相邻的具有所述第二传导类型的第四区域(13，14)，所述第四区域电气连接到所述第一接线端，以及具有第二传导类型的第五区域，所述第五区域位于第四区域下面并且与所述第二区域相邻；其中，所述第二区域通过所述第五区域和所述第四区域的连线部分(14)而被电气连接到所述传导层，并且所述第四区域的所述连线部分包括比所述第四区域的其他部分高的掺杂剂浓度。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||