| 发明名称 | 带有波浪形沟槽或栅极的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，包括：形成用于形成鳍式有源区的沟槽，所述沟槽具有波浪形，以便不会使栅极与有源区连接，从而提高所述栅极中流动的电流速度，并且减少存储电极中的漏电流。另外，所述有源区沿纵向扩展，以确保足够的存储节点接触面积。 | ||
| 申请公布号 | CN100576540C | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200710130547.3 | 申请日期 | 2007.07.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 白承周 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：条状有源区，其形成在半导体基板上方；器件隔离结构，其限定所述有源区；沟槽，其在与所述有源区的纵向两端相邻的部分中具有凹入波浪形，所述沟槽通过蚀刻所述器件隔离结构的一部分而形成；以及栅极，其形成在所述沟槽和所述有源区上方。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||