晶片平坦度测量点分布方法

摘要

本发明公开了一种晶片平坦度测量点分布方法，包括：测量所述晶片的半径R；将所述半径划分为特定数目的等份；以所述各等份为半径确定各同心圆；以数量递增的方式将所述测量点布置于所述各同心圆的圆周上。本发明能够提高测量点在晶片表面的分布均匀性，以非常小的边缘排除量进行平坦度的测量，更加全面客观地反应晶片表面形态。

主权项

1、一种晶片平坦度测量点分布方法，包括：测量所述晶片的半径R；将所述半径划分为特定数目的等份；根据所述等份确定各同心圆；沿圆心到圆周的方向以数量递增的方式在所述各同心圆的圆周上布置测量点，其中第一个同心圆的圆周上测量点的位置为：R/N，0度；R/N，360度/3；R/N，(360度/3)×2；第二个同心圆的圆周上测量点的位置为：(R/N)×2，0度；(R/N)×2，360度/5；(R/N)×2，(360度/5)×2；(R/N)×2，(360度/5)×3；(R/N)×2，(360度/5)×4；第三个同心圆的圆周上测量点的位置为：(R/N)×3，0度；(R/N)×3，360度/7；(R/N)×3，(360度/7)×2，.....，(R/N)×3，(360度/7)×6；第n个同心圆的圆周上测量点的位置为：(R/N)×n，0度；(R/N)×n，360度/(2n+1)；(R/N)×n，(360度/(2n+1))*2，......，(R/N)×n，(360度/(2n+1))×2n，其中n＝1、2.....N。